
- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-VSONP(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
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CSD18563Q5AT 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD18563Q5AT
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):100A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.8mOhm @ 18A、 10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):20nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1500pF @ 30V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),116W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-VSONP(5x6)
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TAS5634:300W 立体声、600W 单声道、12V 至 62V 电源电压、PWM 输入 D 类音频放大器
TMUX1204:5V、4:1、单通道通用模拟多路复用器
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TPS62000:可调节、600mA、效率为 95% 的降压转换器
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