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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
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CSD19501KCS 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD19501KCS
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：80V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.6 毫欧 @ 60A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：50nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3980pF @ 40V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：217W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220-3
- CSD19501KCS优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
SN74HC165：8 位并行负载移位寄存器
SN54F11：军用 3 通道、3 输入、4.5V 至 5.5V 双极与门
OPA2172-Q1：Automotive-grade, dual, 36-V, 10-MHz, low-power operational amplifier
TPS54319：采用 3mm x 3mm QFN 封装的 2.95V 至 6V 输入电压、3A、2MHz SWIFT 同步降压转换器
OPA859-Q1：汽车类 1.8GHz 单位增益带宽、3.3nV/√Hz FET 输入放大器
BQ24088：具有温度感应、电源正常指示功能和 10.5V 过压保护的独立型单节电池 0.75A 线性电池充电器
TVS3300：33V 平缓钳位浪涌保护器件
ONET8531T：具有 RSSI 的 11.3Gbps 5kΩ 限幅跨阻放大器
DRV8711：具有 1/256 微步进和失速检测功能的 52V、双极步进电机栅极驱动器
ADC08060：具有内部采样保持功能的 8 位、60MSPS 1.3mW/MSPS 模数转换器 (ADC)
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