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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
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CSD19502Q5B 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD19502Q5B
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：80V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.1 毫欧 @ 19A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：62nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4870pF @ 40V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），195W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- CSD19502Q5B优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
LM2904LV-Q1：Automotive-grade, dual, 5.5-V, 1-MHz, 3-mV offset voltage operational amplifier
CD4030B：4 通道、4 输入、3V 至 18V XOR（异或）门
CDCE706：300MHz、LVCMOS、可编程 3-PLL 时钟合成器/倍频器/分频器
TLV710：具有使能功能的 200mA、低 IQ、高 PSRR、双通道低压降稳压器
MSP430FR5739-EP：具有 16KB FRAM、1KB SRAM、32 个 IO、10 位 ADC 和比较器的 MSP430FR5739 24MHz ULP 微控制器
TLE2024：四路精密低功耗单电源运算放大器
OMAP3503：Sitara 处理器：Arm Cortex-A8、LPDDR
CD74HC163：具有同步复位的高速 CMOS 逻辑 4 位二进制计数器
SN65HVD12：3.3V 差动收发器
CDCEL949：具有 1.8V LVCMOS 输出的可编程 4-PLL VCXO 时钟合成器
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理