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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-220-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3
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CSD19505KCS 技术参数详情：
- 型号:CSD19505KCS
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:TO-220-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 100A，6V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7820 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220-3
- 封装/外壳:TO-220-3
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SM320C6678-HIREL：高可靠性产品高性能 8 核 C6678 定点和浮点 DSP
UC2852：温度范围为 40°C 至 85°C 的双极性转换模式 PFC 控制器
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