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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DDPAK/TO-263-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
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CSD19505KTT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD19505KTT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：80V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：200A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.1 毫欧 @ 100A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：76nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7920pF @ 40V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：DDPAK/TO-263-3
- CSD19505KTT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
ISO7221M：双通道、1/1、150Mbps 数字隔离器
SN74HC21-Q1：汽车类 2 通道、4 输入、2V 至 6V 与门
TPS22949：具有电流限制和 LDO 的 4.5V、0.1A、350mΩ 负载开关
TLV8541：Single, 3.6-V, 8-kHz, ultra-low quiescent current (550-nA), RRIO operational amplifier
SN74AUP2G04：2 通道、0.8V 至 3.6V 低功耗反相器
LM27762：具有集成 LDO 的低噪声正负输出电荷泵
CC2620：具有 128kB 闪存的 SimpleLink 32 位 Arm Cortex-M3 Zigbee RF4CE 无线 MCU
PTH05010Y：用于 DDR/QDR 存储器的 15A 输出 5V 输入的总线终端电源模块
UCC28C43-EP：增强型产品 BiCMOS 低功耗电流模式 PWM 控制器
SN74LS597：具有输入锁存器的串行输出移位寄存器
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