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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-220-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
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CSD19533KCS 技术参数详情：
- 型号:CSD19533KCS
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:TO-220-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 55A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2670 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:188W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220-3
- 封装/外壳:TO-220-3
- CSD19533KCS优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
TLV7011：具有推挽开路输出的低功耗小型比较器
TLV342S：Dual, 5.5-V, 2.2-MHz operational amplifier with shutdown
TPD3E001：适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大泄漏电流和 VCC 引脚的 3 通道 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
SN54AHCT08：具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的军用 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 与门
MSP430F6731：具有 3 个 Σ-Δ ADC、LCD、实时时钟、32KB 闪存和 2KB RAM 的单相位计量 SoC
TPD3S713-Q1：TPD3S713-Q1
DAC5574：采用微型 MSOP 封装且具有 I2C 接口的 8 位四通道 DAC
LMX2592：具有集成 VCO 的 9.8GHz 宽带频率合成器
DLP650NE：DLP 0.65 1080p DMD
TLV9032-Q1：汽车 1.65V 至 5.5V 精密双路推挽比较器
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理