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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSONP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
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CSD19533Q5A 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD19533Q5A
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.4 毫欧 @ 13A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2670pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），96W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSONP（5x6）
- CSD19533Q5A优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
SN74LVC1G08：单路 2 输入、1.65V 至 5.5V 与门
OMAP-L137：低功耗 C674x 浮点 DSP + ARM9 处理器 - 高达 456MHz
MSP430F67781：具有 7 个 Σ-Δ ADC、LCD、实时时钟、512KB 闪存和 16KB RAM 的多相位计量 SoC
CD74HCT574-EP：增强型产品高速 Cmos 逻辑八路正边沿触发式 D 型触发器，具有
TM4C1299NCZAD：具有 120MHz 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB、ENET MAC+PHY 和 LCD、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU
LMH0318：具有集成电缆驱动器的 3G HD/SD SDI 时钟恢复器
TPS55386：具有外部补偿的 4.5V 至 28V 输入、双路 3A 输出、600kHz 降压转换器
LMZM23601：采用 3.8mm × 3mm 封装的 36V、1A 降压直流/直流电源模块
OPA2316：Dual, 5.5-V, 10-MHz, low noise (11-nV/√Hz), RRIO operational amplifier
TLV2471A：Single, 6-V, 2.8-MHz, 1.6-mV offset, RRIO operational amplifier
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