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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSONP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
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CSD19533Q5AT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD19533Q5AT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.4 毫欧 @ 13A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2670pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），96W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSONP（5x6）
- CSD19533Q5AT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
CDC536：具有 1/2x、1x 和 2x 频率选项的 100MHz、3.3V PLL 时钟驱动器
UCC5304：适用于 GaNFET 和 MOSFET 且具有 5V UVLO 的 5kVrms、4A/6A 单通道隔离式栅极驱动器
TLV3701-EP：增强型产品毫微功耗推挽比较器
SN74LS08：4 通道、2 输入、4.75V 至 5.25V 双极与门
CSD17303Q5：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
CD54HC564：具有三态输出的高速 CMOS 逻辑八路正边沿触发式 D 型反相触发器
BQ77PL900：5 至 10 节锂离子电池保护和 AFE
TMUX7436F：具有故障保护功能、闩锁效应抑制和 1.8V 逻辑电平的 ±60V 双路 2:1 多路复用器
ONET1151P：11.3Gbps 限幅放大器
LMP91000：适用于低功耗电化学电池监测的可配置 AFE 恒电位仪
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