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  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-VSONP(5x6)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
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CSD19533Q5AT 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:CSD19533Q5AT
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:NexFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):100A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9.4 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2670pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),96W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-VSONP(5x6)
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TPS81256:集成电源解决方案,采用 MicroSiP 封装的 3W 高效升压转换器模块
DAC38RF84:14 位 9GSPS 6x-24x 插值 6GHz 和 9GHz PLL 数模转换器 (DAC)
INA283:-14V 至 80V 双向电流感应放大器
SN54LS86A:军用 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 双极 XOR(异或)门
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DAC7621:12 位、并行输入数模转换器
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