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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DDPAK/TO-263-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
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CSD19536KTT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD19536KTT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：200A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 100A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：153nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：12000pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：375W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：DDPAK/TO-263-3
- CSD19536KTT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
ISO7221A：双通道、TTL、1/1、1Mbps 数字隔离器
TPS2377：具有传统 UVLO 阈值和闩锁保护的 3 级 PoE PD
TPS53211：具有轻负载效率的 1.5V 至 19V 单相 PWM 降压控制器
SN74HC4060-Q1：汽车类 14 级异步二进制计数器和振荡器
BQ24308：过压和过流保护 IC
DCV010512：微型 1W 1500Vrms 隔离式未稳压直流/直流转换器
BQ294534：适用于 2 节和 3 节锂离子电池的 4.55V 过压保护 (OVP) 器件
F28M35H52C：具有 250MIPS、1024kB 闪存的 C2000 双核 32 位 MCU
SN74LVC2G08：2 通道、2 输入、1.65V 至 5.5V 与门
BQ25672：具有双输入选择器和集成 ADC 的 IC 控制型 1-4 节 3A 降压电池充电器
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