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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-263（DDPAK-3）
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
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CSD19536KTT 技术参数详情：
- 型号:CSD19536KTT
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:TO-263（DDPAK-3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:153 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12000 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:375W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（DDPAK-3）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- CSD19536KTT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
SN74HC10：3 通道、3 输入、2V 至 6V 与非门
TPS51200-EP：灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器
HD3SS3202：2 通道 10Gbps 2:1/1:2 USB 3.1 差分多路复用器/多路信号分离器
SN65LBC173：四路低功耗差分线路接收器
CY74FCT157T：四路 2 输入多路复用器
TXS02612：具有电压电平转换功能的 SDIO 端口扩展器
SN74ALVCH16835：具有三态输出的 18 位通用总线驱动器
LM3535：具有环境光感应和动态背光控制兼容性的多显示屏 LED 驱动器
UCC23313：具有 8V 或 12V UVLO 选项的 3.75kVrms、4A/5A 单通道光兼容隔离式栅极驱动器
CSD18510Q5B：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理