
- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:6-WSON(2x2)
- 技术参数:MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
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CSD19538Q2T 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD19538Q2T
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):13.1A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):59 毫欧 @ 5A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):5.6nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):454pF @ 50V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),20.2W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:6-WSON(2x2)
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TRF370417:50MHz 至 6.0GHz 正交调制器,1.7V 共模电压
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