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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-VSONP（3x3.3）
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
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CSD19538Q3A 技术参数详情：
- 型号:CSD19538Q3A
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:8-VSONP（3x3.3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:59 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:454 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），23W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-VSONP（3x3.3）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- CSD19538Q3A优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
CSD17303Q5：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
OPA4322：Quad, 5.5-V, 20-MHz, 65-mA output current, low noise (8.5-nV/√Hz), RRIO operational amplifier
SN75ALS170：三路差动总线收发器
BQ27350：采用 Impedance Track 电量监测计技术的单节锂离子电池管理器
CSD17579Q5A：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
LM111：具有选通信号的差动比较器
BQ24195L：具有 5.1V、1A 同步升压操作的 I2C 控制型 2.5A 单节电池充电器
ADS7818：具有 5V 输入电压范围的 12 位高速低功耗采样模数转换器
ADS8598H：采用单电源并具有双极性输入的 18 位 500kSPS 8 通道同步采样 ADC
TPS62175：具有贪睡模式的 28V、0.5A 降压转换器
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理