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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:4-DSBGA（1x1）
- 技术参数：MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
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CSD23202W10T 技术参数详情：
- 型号:CSD23202W10T
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:4-DSBGA（1x1）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:53 毫欧 @ 500mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.8 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:-6V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:512 pF @ 6 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:4-DSBGA（1x1）
- 封装/外壳:4-UFBGA，DSBGA
- CSD23202W10T优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
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