
- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:6-DSBGA
- 技术参数:MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
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CSD23203WT 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD23203WT
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET
- 零件状态:有源
- FET类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):8V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):3A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):19.4 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):6.3nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):-6V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):914pF @ 4V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):750mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:6-DSBGA
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