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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：3-PICOSTAR
- 技术参数：MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
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CSD23285F5T 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD23285F5T
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：FemtoFET
- 零件状态：有源
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：12V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.4A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：35 毫欧 @ 1A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：4.2nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：-6V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：628pF @ 6V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：3-PICOSTAR
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DS110DF410：具有自适应 EQ、CDR 和 DFE 的 8.5Gbps 至 11.3Gbps 四通道重定时器
DAC80502：双通道、1LSB INL、16 位、SPI 电压输出数模转换器 (DAC)
TLV2444：高级 LinCMOS 轨到轨输出、宽输入电压、四路运算放大器
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BQ20Z65-R1：采用 Impedance Track 技术且符合 SBS 1.1 标准的电量监测计，具有改进的特性集
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