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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：6-DSBGA（1x1.5）
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
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CSD25211W1015 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD25211W1015
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.2A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：33 毫欧 @ 1.5A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：4.1nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：-6V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：570pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：1W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：6-DSBGA（1x1.5）
- CSD25211W1015优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
TM4C1231H6PM：具有 80MHz 频率、256KB 闪存、32KB RAM、CAN 和 RTC、采用 64 引脚 LQFP 封装、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU
SN54AC245：具有三态输出的八路总线收发器
LM76005-Q1：3.5V 至 60V、5A 同步降压稳压器
SN74LVTH16543-EP：具有三态输出的增强型产品 3.3V ABT 16 位寄存收发器
TLC1550：与 DSP/微处理器直接相连的 10 位、164 kSPS 并行输出 ADC
LMV722-Q1：Automotive-grade, dual, 5-V, 10-MHz, low noise (8.5-nV/√Hz) operational amplifier
ADC3583：单通道、18 位、65MSPS、低噪声、超低功耗、低延迟 ADC
TPS38：具有超低静态电流和延时功能的 65V 双通道监控器
TMS320F28052F：具有 60MHz 频率、64KB 闪存、InstaSPIN-FOC、PGA 的 C2000 32 位 MCU
LM319-N：双路高速高电压比较器
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