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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:4-DSBGA（1x1）
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
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CSD25213W10 技术参数详情：
- 型号:CSD25213W10
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:4-DSBGA（1x1）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:47 毫欧 @ 1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.9 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:-6V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:478 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:4-DSBGA（1x1）
- 封装/外壳:4-UFBGA，DSBGA
- CSD25213W10优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
TMUX1204：5V、4:1、单通道通用模拟多路复用器
BQ21040：0.8A 单节锂离子和锂聚合物电池充电器
TLE2141M：高速高驱动精密运算放大器
CD40102B：CMOS 8 级可预置 2 位十进制 BCD 同步递减计数器
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SN65LVDT2：单路 LVDS 接收器
UCC28C45-Q1：汽车类 20V 低功耗电流模式 PWM 控制器，8.4V/7.6V UVLO，50% 占空比
LM2936：具有反向电压保护功能的 50mA、60V、低 IQ、低压降稳压器
SN74LVC1G06-EP：具有漏极开路输出的增强型产品单路 1.65V 至 5.5V 反相器
DP83TG720R-Q1：具有 RGMII 的 1000BASE-T1 汽车以太网 PHY
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