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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：6-DSBGA
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
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CSD25304W1015T 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD25304W1015T
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：32.5 毫欧 @ 1.5A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.15V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：4.4nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：595pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：750mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：6-DSBGA
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