产品参考图片
- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSONP（3x3.15）
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 15A/76A 8VSON
- 丰富的TI公司产品，TI芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
CSD25402Q3AT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD25402Q3AT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 15A/76A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），76A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.9 毫欧 @ 10A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.15V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.7nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1790pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），69W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSONP（3x3.15）
- CSD25402Q3AT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
SG2524：工作温度范围为 -25°C 至 85°C 的 40V、双路 0.05A 450KHz PWM 控制器
CD54HCT259：高速 CMOS 逻辑 8 位可寻址锁存器
TS5A3159-EP：增强型产品 1Ω Spdt 模拟开关
CSD95373AQ5M：具有温度感应功能的 45A 同步降压 NexFET 功率级
PTH05050Y：用于 DDR/QDR 存储器的 6A 输出 5V 输入的总线终端电源模块
TPS65266-1：2.7V 至 6.5V 输入、3A/2A/2A 三路降压转换器
LM25010：6-42V 宽输入电压、1A 恒定导通时间非同步降压稳压器
TPS53661：六相、D-CAP+ 降压 VR12.x 服务器 CPU VCORE
ADS8681：具有可编程 (±12/±10/±6/±5/±2.5V) 输入范围、+5V 电源的 16 位、1MSPS、单通道 SAR ADC
UCC28C51-Q1：汽车类 30V 低功耗电流模式 PWM 控制器，7V/6.6V UVLO，50% 占空比
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理