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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-WDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
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CSD85301Q2T 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD85301Q2T
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 5A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：5.4nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：469pF @ 10V
- 功率-最大值：2.3W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：6-WDFN
- CSD85301Q2T优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
TPS8268105：1.6A、高效 MicroSiP 降压转换器模块
OPT3002：光数字传感器
SN65HVD21A：扩展共模 RS-485 收发器
SN74AUP1G98：低功耗可配置多功能门
AFE5832LP：具有 18.5mW/通道功率、LVDS 接口和 CW 无源混频器的低功耗 32 通道超声波 AFE
TPS62110：采用 QFN-16 封装的可调节 1.5A、17V 输入电压降压转换器
SN74AC04：6 通道、2V 至 6V 反相器
TLV2463：Dual, 6-V, 6.4-MHz, RRIO operational amplifier with shutdown
CSD97396Q4M：30A 同步降压 NexFET 功率级
SN74ABT861：具有三态输出的 10 位收发器
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