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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-VSON（3.3x3.3）
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
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CSD85312Q3E 技术参数详情：
- 型号:CSD85312Q3E
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:8-VSON（3.3x3.3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N 沟道（双）共源
- FET 功能:逻辑电平栅极，5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）:20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12.4 毫欧 @ 10A，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.2nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2390pF @ 10V
- 功率 - 最大值:2.5W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）
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PCM1870：采用麦克风偏置、ALC、音效和陷波滤波器的 90dB SNR 低功耗立体声音频 ADC
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SN65HVD1176：PROFIBUS RS-485 收发器
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