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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
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CSD85312Q3E 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD85312Q3E
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N 沟道（双）共源
- FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：39A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12.4 毫欧 @ 10A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15.2nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2390pF @ 10V
- 功率-最大值：2.5W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerVDFN
- CSD85312Q3E优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
TPS63027：高效 4.5A 开关单电感器降压/升压转换器
TPS54973：用于预偏置输出的 3.3V 输入、9A 同步降压转换器
TRS3238：具有 +/-15kV ESD 保护的 3V 至 5.5V 多通道 250kbps RS-232 线路驱动器/接收器
SN75463：具有“或”逻辑输入的 35V 双路输出驱动器
TCAN1167-Q1：具有 LDO 输出和看门狗的汽车类 CAN FD 系统基础芯片
SN74LVT16646：具有三态输出的 3.3V ABT 16 位总线收发器和寄存器
TPS3619-33-EP：适用于 RAM 保持模式的增强型产品电池备份监控器
MSP430AFE252：具有 2 个 24 位 Σ-Δ ADC、16KB 闪存和 512B RAM 的 12MHz 计量 AFE
LM2734Z-Q1：具有轻负载效率的 3V 至 20V 输入电压、1A、高频汽车类降压转换器
PCF8575：具有中断的 16 位 2.5V 至 5.5V I2C/SMBus I/O 扩展器
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