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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-VSON（3.3x3.3）
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
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CSD87312Q3E 技术参数详情：
- 型号:CSD87312Q3E
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:8-VSON（3.3x3.3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N 沟道（双）共源
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 7A，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.2nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250pF @ 15V
- 功率 - 最大值:2.5W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）
- CSD87312Q3E优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
LM2771：低纹波 250mA 开关电容器降压直流/直流转换器
THS4141：160MHz 全差分输入/输出高压摆率放大器
DAC101C081：具有 I2C 兼容接口的 10 位微功耗数模转换器
ONET8501P：11.3Gbps 速率可选限幅放大器
UCC27212A-Q1：具有 5V UVLO 的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器
TPS65262-2：具有 350mA/150mA 双 LDO 的 4.5V 至 18V 输入电压、3A/1A/1A 三路同步降压转换器
SN5425：军用 2 通道、4 输入、4.5V 至 5.5V 双极或非门
CY54FCT245T：具有三态输出的八路总线收发器
BQ24104：独立 1 至 2 节 2A 同步降压电池充电器
SN54ALS151：8 选 1 数据选择器/多路复用器
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