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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
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CSD87312Q3E 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD87312Q3E
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N 沟道（双）共源
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：27A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：33 毫欧 @ 7A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8.2nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1250pF @ 15V
- 功率-最大值：2.5W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerTDFN
- CSD87312Q3E优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
TPS3899-Q1：具有可编程感应和复位延迟功能的汽车纳瓦级功率监控器
CD74HC4046A：带 VCO 的高速 CMOS 逻辑锁相环
SN74LV164A：8 位并行输出串行移位寄存器
TPS61181A：适用于笔记本电脑应用的六串 LED 驱动器
CD40107B-MIL：具有开漏输出的军用 2 通道、2 输入、3V 至 18V 与非门
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