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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerLDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
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CSD87330Q3D 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD87330Q3D
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：2 个 N 通道（半桥）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：5.8nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：900pF @ 15V
- 功率-最大值：6W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerLDFN
- CSD87330Q3D优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
DAC8820：16 位并行输入乘法 DAC
SM320VC5507-EP：增强型产品低功耗 C5507 定点 DSP
PGA2310：具有低增益误差 (0.05) 的 +/-15V 立体声音频音量控制
MSP430G2302：具有 4KB 闪存、256B SRAM、SPI/I2C 和计时器的 16MHz MCU
CY74FCT162H501T：具有总线保留和三态输出的 18 位通用总线收发器
ONET8501P：11.3Gbps 速率可选限幅放大器
TPS62933P：采用 SOT-583 封装的 3.8V 至 30V、3A、200kHz 至 2.2MHz、低 IQ 同步降压转换器
BQ24171：符合 JEITA 标准且具有电源路径的独立 1 至 3 节 4A 同步降压电池充电器
SN74LS85：4 位幅度比较器
TLE2022-EP：增强型产品 Excalibur 高速低功耗精密运算放大器
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理