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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
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CSD87333Q3D 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD87333Q3D
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
- FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14.3 毫欧 @ 4A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：4.6nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：662pF @ 15V
- 功率-最大值：6W
- 工作温度：125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerTDFN
- CSD87333Q3D优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
ADS5440：13 位、210MSPS 模数转换器 (ADC)
CD4050B-MIL：军用 6 通道 3V 至 18V 缓冲器
NA555：精密计时器
TSM104WA：四路运算放大器和可编程精密基准
LM3477：用于开关稳压器的高效高侧 N 沟道控制器
MSP430F123：具有 8KB 闪存、256B SRAM、计时器、比较器和 SPI/UART 的 8MHz MCU
CSD19533KCS：采用 TO-220 封装的单路、10.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
SN74HCT595-Q1：具有 TLL 兼容 CMOS 输入和三态输出寄存器的汽车类 8 位移位寄存器
DLP780TE：DLP 0.78 英寸 4K UHD 数字微镜器件 (DMD)
TCA6507：具有强度控制、关断和配置寄存器的 7 位 1.65V 至 5.5V I2C/SMBus LED 驱动器
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理