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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-LSON（3.3x3.3）
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 25A 8LSON
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CSD87335Q3DT 技术参数详情：
- 型号:CSD87335Q3DT
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:8-LSON（3.3x3.3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 8LSON
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.9V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.4nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1050pF @ 15V
- 功率 - 最大值:6W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerLDFN
- 供应商器件封装:8-LSON（3.3x3.3）
- CSD87335Q3DT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
DS26F32MQML：四路差分线路接收器
TLC59213A：具有锁存器和增强保持时间的 8 位并行输入/输出达林顿源驱动器
TLE2024M：高速低功耗精密四路运算放大器
REF6133：具有集成缓冲器和使能引脚的 3.3V、8ppm/°C 高精度电压基准
SN54AS30：军用单路 8 输入、4.5V 至 5.5V 双极与非门
TPS62300：可调节、500mA、3MHz 降压转换器，采用 QFN 封装
SN74LVC652A：具有三态输出的八路总线收发器和寄存器
LP3883：具有使能功能的 3A 超低压降稳压器
OPA2132：具有 FET 输入的双路 SoundPlus 8MHz、5pA 高性能音频运算放大器
ADS1191：适用于 ECG 应用的 16 位、单通道、低功耗模拟前端 (AFE)
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