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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerLDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
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CSD87350Q5D 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD87350Q5D
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.9 毫欧 @ 20A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10.9nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1770pF @ 15V
- 功率-最大值：12W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerLDFN
- CSD87350Q5D优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
DAC7741：具有内部 +10V 参考和并行 I/F 的 16 位单通道数模转换器
SN74ABT16374A：具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器
TPS2390：具有闭锁功能的 -36V 至 -80V 热插拔控制器
TPS22930A：5.5V、2A、35mΩ 负载开关
SN65HVD1786：具有故障保护功能的 70V RS-485，共模范围从 -20 至 +25
UCC1800：低功耗 BiCMOS 电流模式 PWM
LPV542：Dual, 5.5-V, 8-kHz, ultra low quiescent current (480-nA), 1.6-V min supply, RRIO op amp
CSD18531Q5A：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
TPS650240：面向锂离子电池供电系统的电源管理 IC (PMIC)
TPS65140：具有完全集成的正电荷泵、3.3V LDO 控制器、1.6A 最小升压电流限制和故障检测的 4 通道 LCD 偏置
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理