
- 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-SOIC
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
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CSD88537NDT 技术参数详情:
- 型号:CSD88537NDT
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 N-通道(双)
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 8A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):18nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1400pF @ 30V
- 功率 - 最大值:2.1W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC
- CSD88537NDT优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
TLV9354:Quad, 40-V, 3.5-MHz, low-power operational amplifier
TPS73HD3:具有使能功能的 750mA、10V、双通道低压降稳压器
CSD17304Q3:采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
SN65LVCP202:2.5Gbps 2x2 交叉点开关
TLV7042:具有漏极开路输出的双路毫微功耗小型比较器
LMH2121:具有 40dB 动态范围的 3GHz 快速响应线性功率检测器
LM2678:8V 至 40V、5A SIMPLE SWITCHER 高效降压转换器
XIO2001:PCI Express (PCIe) 转 PCI 总线转换桥接器
ADC3244:双通道 14 位 125MSPS 模数转换器 (ADC)
BQ27350:采用 Impedance Track 电量监测计技术的单节锂离子电池管理器

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