
- 制造厂商:TI
- 类别封装:磁性传感器 - 开关(固态),器件封装图片SOT-23-3
- 技术参数:ULTRA-LOW POWER 1.65V TO 5.5V HA
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DRV5032DUDBZT 技术参数详情:
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SN74F10:3 通道、3 输入、4.5V 至 5.5V 双极与非门
CSD19536KTT:采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
LM324K:Quad, 30-V, 1.2-MHz, improved ESD (2kV) operational amplifier
BQ2016:适用于高放电率 (>5A)、电池组容量小于 5Ah 的镍镉电池/镍氢电池电量监测计
TPS54394:具有集成 FET 的 3A 双通道同步降压转换开关
MSP430FR59691:具有 64KB FRAM、2KB SRAM、AES、12 位 ADC、比较器、DMA、UART/SPI/I2C 和计时器的 16MHz MCU
CD54AC00:军用 4 通道、2 输入、1.5V 至 5.5V 与非门
TCA9554A:具有中断、弱上拉和配置寄存器的 8 位 1.65V 至 5.5V I2C/SMBus I/O 扩展器
CD74ACT574:具有三态输出的八路 D 型同相触发器
SN54LVTH245A-SP:具有三态输出的 3.3V ABT 八路总线收发器

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