
- 制造厂商:TI
- 类别封装:射频评估和开发套件,开发板,配套使用的相关产品:GC5018
- 技术参数:GC5018EVM
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GC5018EVM 技术参数详情:
- 制造商产品型号:GC5018EVM
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:GC5018EVM
- 系列:射频评估和开发套件,开发板
- 零件状态:停产
- 类型:降频器
- 频率:-
- 配套使用的相关产品:GC5018
- GC5018EVM优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
ISOW7841A-Q1:具有集成电源的汽车类、四通道、3/1、增强型数字隔离器
TLC271:Single, 16-V, 2-MHz, In to V- operational amplifier
LP3962:具有使能功能的 1.5A、高精度、低压降稳压器
AFE49I30:用于可穿戴式光学生物传感、具有 FIFO、I2C 和 ECG 的超低功耗集成 AFE
CSD17507Q5A:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
SN65HVD233-HT:高温 3.3V CAN 收发器
CSD25202W15:采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
ADS9224R:具有内部基准电压和增强型 SPI 的 16 位、3MSPS、双通道、同步采样 SAR ADC
LMX2522:具有集成 VCO 的 PLLatinum 双路频率合成器系统
SN74LVC07A-EP:具有漏极开路输出的增强型产品 6 通道、1.65V 至 5.5V 缓冲器

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