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  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:电源管理IC - 电压基准,产品封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技术参数:IC VREF SHUNT 0.1% SOT23-3
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LM4041QAIM3-1.2/NO 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:LM4041QAIM3-1.2/NO
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:IC VREF SHUNT 0.1% SOT23-3
  • 产品系列:电源管理IC - 电压基准
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:Automotive, AEC-Q100
  • 零件状态:有源
  • 参考类型:分流器
  • 输出类型:固定
  • 电压-输出(最小值/固定):1.225V
  • 电压-输出(最大值):-
  • 电流-输出:12mA
  • 容差:±0.1%
  • 温度系数:100ppm/°C
  • 噪声-01Hz至10Hz:-
  • 噪声-10Hz至10Hz:20Vrms
  • 电压-输入:-
  • 电流-供电:-
  • 电流-阴极:65A
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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SN74ALS157A:四路 2 选 1 数据选择器/多路复用器
AIC111:1.3V 微功率单通道编解码器
LP3990:具有使能功能和低输出电压的 150mA、低 IQ、低压降稳压器
TPIC2810:配备 I2C 接口的 8 位 LED 驱动器
ONET1151L:11.3Gbps 低功耗激光二极管驱动器
CSD97394Q4M:CSD97394Q4M 同步降压 NexFET 功率级
SN74LV165A:并联负载 8 位移位寄存器
TLC2652A:高级 LinCMOS 精密斩波稳定型运算放大器
CSD17484F4:采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
CSD17576Q5B:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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