
- 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
- 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:10-WDFN
- 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
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LM5100BSDX 技术参数详情:
- 制造商产品型号:LM5100BSDX
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
- 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:N 沟道 MOSFET
- 电压-供电:9V ~ 14V
- 逻辑电压-VIL,VIH:2.3V,-
- 电流-峰值输出(灌入,拉出):2A,2A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压-最大值(自举):118V
- 上升/下降时间(典型值):570ns,430ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:10-WDFN
- LM5100BSDX优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
TSB82AA2B:1394b OHCI-Lynx 控制器
ADC122S051Q-Q1:2 通道、200 ksps 至 500 ksps 12 位模数转换器
BQ24201:采用 MSOP-8 封装、具有温度感应功能、适用于限流应用的 500mA、4.1V 锂离子电池充电器
LM2902LV-Q1:Automotive-grade, quad, 5.5-V, 1-MHz, 3-mV offset voltage op amp
TPS2HB50-Q1:具有可调节电流限制的 40V、50mΩ、2 通道汽车类智能高侧开关
CSD23381F4:采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、175mΩ、-12V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
TM4C123AE6PM:具有 80MHz 频率、128KB 闪存、32KB RAM、2 个 CAN、采用 64 引脚 LQFP 封装、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU
AFE58JD16:功耗为 90mW/通道、噪声为 0.95nV/√Hz 的 16 通道超声波模拟前端
DCR010505:微型 1W 隔离稳压直流/直流转换器
LMH6703:具有关断状态的 1.2GHz、低失真运算放大器

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