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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 功率驱动器模块，封装:
- 技术参数：MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
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LMG3522R030QRQSRQ1 技术参数详情：
- 型号:LMG3522R030QRQSRQ1
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:
- 类目:分立半导体产品 > 功率驱动器模块
- 描述:MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 类型:MOSFET
- 配置:半桥逆变器
- 电流:55 A
- 电压:650 V
- 电压 - 隔离:-
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
- 封装/外壳:52-VQFN 焊盘
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MSP430FR2310：具有 2KB FRAM、运算放大器、TIA、比较器、DAC 和 10 位 ADC 的 16MHz 集成模拟微控制器
SN74LS279A：四路 /S-/R 锁存器
LM2770：具有休眠模式的高效开关电容器降压直流/直流稳压器
BQ294582：具有 4.225V 过压保护功能、适用于 2 节和 3 节串联锂离子电池的过压保护
SN74ABT541B：具有 TTL 兼容型 CMOS 输入和三态输出的 8 通道、4.5V 至 5.5V 缓冲器
ONET4211LD：155Mbps 至 4.25Gbps 激光驱动器
SN74ALS996：八路 D 类边沿读回锁存器
LM5022-Q1：符合 AEC-Q100 标准的 6V 至 60V 宽输入电压、电流模式升压、SEPIC 和反激式控制器
CDCLVC1103：低抖动 1:3 LVCMOS 扇出时钟缓冲器
ISO7420FCC：双通道、2/0、50Mbps 数字隔离器
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