
- 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
- 类别封装:分立半导体产品 > 功率驱动器模块,封装:
- 技术参数:MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
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LMG3522R030QRQSTQ1 技术参数详情:
- 型号:LMG3522R030QRQSTQ1
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:
- 类目:分立半导体产品 > 功率驱动器模块
- 描述:MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 类型:MOSFET
- 配置:半桥逆变器
- 电流:55 A
- 电压:650 V
- 电压 - 隔离:-
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装,可润湿侧翼
- 封装/外壳:52-VQFN 焊盘
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TLV841:具有可调节释放延迟功能且采用 Wafer Chip-Scale Package 封装的超低压纳瓦级功率监控器
SN74LV08A-EP:增强型产品 4 通道、2 输入、2V 至 5.5V 与门
SN74LVC08A-EP:增强型产品 4 通道、2 输入、2V 至 3.6V 与门
CSD17522Q5A:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
TPS53632G:用于 48V GaN 直流/直流转换器的半桥 D-CAP+ 控制器
ADS6224:双通道、12 位、105MSPS 模数转换器 (ADC)
CDCLVC1106:低抖动 1:6 LVCMOS 扇出时钟缓冲器
ADS8866:具有单端输入、SPI 接口和菊花链的 16 位、100kSPS、单通道 SAR ADC
THS3095:具有断电功能的单路高压低失真电流反馈运算放大器
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