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  • 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 功率驱动器模块,封装:
  • 技术参数:MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
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LMG3522R030QRQSTQ1 技术参数详情:
  • 型号:LMG3522R030QRQSTQ1
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:
  • 类目:分立半导体产品 > 功率驱动器模块
  • 描述:MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:MOSFET
  • 配置:半桥逆变器
  • 电流:55 A
  • 电压:650 V
  • 电压 - 隔离:-
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装,可润湿侧翼
  • 封装/外壳:52-VQFN 焊盘
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TLV841:具有可调节释放延迟功能且采用 Wafer Chip-Scale Package 封装的超低压纳瓦级功率监控器
SN74LV08A-EP:增强型产品 4 通道、2 输入、2V 至 5.5V 与门
SN74LVC08A-EP:增强型产品 4 通道、2 输入、2V 至 3.6V 与门
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THS3095:具有断电功能的单路高压低失真电流反馈运算放大器
OPA4990:Quad, 40-V, 1.1-MHz, low-power operational amplifier
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