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  • 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 功率驱动器模块,封装:
  • 技术参数:MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
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LMG3526R030RQSR 技术参数详情:
  • 型号:LMG3526R030RQSR
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:
  • 类目:分立半导体产品 > 功率驱动器模块
  • 描述:MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:MOSFET
  • 配置:半桥逆变器
  • 电流:55 A
  • 电压:650 V
  • 电压 - 隔离:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装,可润湿侧翼
  • 封装/外壳:52-VQFN 焊盘
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LMK01020:具有 8 个 LVPECL 输出的 1.6GHz 高性能时钟缓冲器、分频器和分配器
DAC7731:具有内部 +10V 基准和串行 I/F 的 16 位单通道数模转换器
SN75ALS199:四路差分线路接收器
TPS40170-Q1:具有电压跟踪功能的汽车级、4.5V 至 60V 同步降压控制器
LM2696:3A,恒定导通时间降压稳压器
TS5A22362:具有负信号处理功能的 0.65V、2:1 (SPDT)、2 通道模拟开关
XTR117:XTR117 4-20mA 电流环路发送器
SN74AHCT08:具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 与门
TPS62225:2.2V 输出、400mA、效率为 95% 的降压转换器,15uA,采用 ThinSOT-23 封装
CD74HCT4067-Q1:具有 TTL 输入的汽车类 5V、16:1、单通道模拟多路复用器
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