CSD18502Q5B：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

TPS51116-EP：增强型产品 DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO

TL081：Single, 30-V, 3-MHz, 13-V/s slew rate, In to V+, JFET-input op amp

CSD23285F5：采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET

REF6141：具有集成缓冲器和使能引脚的 4.096V、8ppm/°C 高精度电压基准

TRF37T05：300MHz 至 4GHz 正交调制器

TPS61130：具有 200mA LDO 的可调节、效率为 90% 的 SEPIC 转换器，用于单节/双节锂离子电池应用

REF6130：具有集成缓冲器和使能引脚的 3V、8ppm/°C 高精度电压基准

BQ24103：采用 WQFN-20 封装的独立 1 至 2 节 2A 同步降压电池充电器

TLV9352：Dual, 40-V, 3.5-MHz, low-power operational amplifier