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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器，封装:64-VQFN（9x9）
- 技术参数：IC MCU 16BIT 64KB FRAM 64VQFN
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MSP430FR69721IRGCR 技术参数详情：
- 型号:MSP430FR69721IRGCR
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:64-VQFN（9x9）
- 类目:集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- 描述:IC MCU 16BIT 64KB FRAM 64VQFN
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 核心处理器:MSP430 CPUXV2
- 内核规格:16 位
- 速度:16MHz
- 连接能力:I2C，IrDA，SCI，SPI，UART/USART
- 外设:掉电检测/复位，DMA，LCD，POR，PWM，WDT
- I/O 数:51
- 程序存储容量:64KB（64K x 8）
- 程序存储器类型:FRAM
- EEPROM 容量:-
- RAM 大小:2K x 8
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.8V ~ 3.6V
- 数据转换器:A/D 8x12b
- 振荡器类型:内部
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:64-VQFN（9x9）
- 封装/外壳:64-VFQFN 焊盘
- MSP430FR69721IRGCR优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
LM94023：具有多增益和 AB 类模拟输出且采用 WCSP 封装的 ±1.5°C 温度传感器
CSD19535KTT：采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
BQ2004H：具有负 dV、PVD、dT/dt 终止功能和时间设置 3 的镍镉电池/镍氢电池降压充电器
CSD17573Q5B：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
TPS7A85：具有电源正常指示功能的 4A、低输入电压、低噪声、高精度、超低压降稳压器
DLP650NE：DLP 0.65 1080p DMD
SN5400：军用 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 双极与非门
LP87564-Q1：具有集成开关的汽车类四路 4A 降压转换器
UC1834-DIE：具有限流器的航天级、5V 至 35V 输入、400mA、1.5V 输出线性稳压器
ISO7240C：四通道、4/0、25Mbps 数字隔离器
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