
- 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
- 类别封装:集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器,封装:14-SOIC
- 技术参数:IC INVERT SCHMITT 6CH 1IN 14SOIC
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SN74HCT14DRG3 技术参数详情:
- 型号:SN74HCT14DRG3
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:14-SOIC
- 类目:集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- 描述:IC INVERT SCHMITT 6CH 1IN 14SOIC
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 逻辑类型:反相器
- 电路数:6
- 输入数:1
- 特性:施密特触发器
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 电流 - 静态(最大值):2 A
- 电流 - 输出高、低:4mA,4mA
- 逻辑电平 - 低:0.5V ~ 0.6V
- 逻辑电平 - 高:1.9V ~ 2.1V
- 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟:30ns @ 5.5V,50pF
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:14-SOIC
- 封装/外壳:14-SOIC(0.154\\
- SN74HCT14DRG3优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
TL3474:Quad, 36-V, 4-MHz, 10-V/s slew rate, In to V- operational amplifier
THS6182:低功耗 ADSL 和 PLC 线路驱动器
LM5116WG:100V 宽输入电压同步降压控制器
LM5146-Q1:具有宽占空比范围的汽车类 100V 同步降压直流/直流控制器
LM60440:采用增强型 EMI QFN 封装、具有可湿性侧面和外部焊盘的 36V、4A 同步转换器
CSD19532Q5B:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、100V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
BQ25713:具有 USB type C PD 支持的 I2C 1 至 4 节 NVDC 降压/升压电池充电控制器
CSD19535KCS:采用 TO-220 封装的单路、3.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
ISO122:±10V 输入、电压检测隔离式放大器
SN65LVDS311:可编程 27 位显示屏串行接口变送器

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