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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器，封装:8-SOIC
- 技术参数：IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
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TLE2062IDR 技术参数详情：
- 型号:TLE2062IDR
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
- 描述:IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 放大器类型:J-FET
- 电路数:2
- 输出类型:-
- 压摆率:3.4V/s
- 增益带宽积:2 MHz
- -3db 带宽:-
- 电流 - 输入偏置:4 pA
- 电压 - 输入补偿:900 V
- 电流 - 供电:625A（x2 通道）
- 电流 - 输出/通道:80 mA
- 电压 - 跨度（最小值）:7 V
- 电压 - 跨度（最大值）:36 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
- TLE2062IDR优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
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