BQ29410：2-4 节串联锂离子/锂聚合物电池的二级过压保护 (4.35V)

MSP430G2211：具有 2KB 闪存、128B SRAM、比较器和计时器的 16MHz MCU

TM4C1233D5PM：具有 80MHz 频率、64KB 闪存、12KB RAM、CAN、RTC 和 USB-D、采用 64 引脚 LQFP 封装、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

SN65HVD1473：3.3V、全双工 RS-485、16kV IEC ESD、20Mbps 数据速率，带使能功能

TM4C1230D5PM：具有 80MHz 频率、64KB 闪存、24KB RAM、CAN、采用 64 引脚 LQFP 封装、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

SN74AHCT174：具有清零端的六路 D 型触发器

UCC27212：具有 5V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器

CSD18535KTT：采用 D2PAK 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

SN74AUP1G99：具有三态输出的低功耗超级可配置多功能门

CSD95482RWJ：采用业界通用封装的 40A 同步降压 NexFET 智能功率级