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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SOIC
- 技术参数：MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
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TPS1100D 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TPS1100D
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：15V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.6A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.7V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.45nC @ 10V
- Vgs（最大值）：+2V，-15V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：791mW（Ta）
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-SOIC
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LMK03318：具有单个 PLL 的超低抖动时钟发生器系列
SN74LS166A：串行输出移位寄存器
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