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TPS1100DR 图片
  • 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-SOIC
  • 技术参数:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
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TPS1100DR 技术参数详情:
  • 型号:TPS1100DR
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):15 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):180 毫欧 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):5.45 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):+2V,-15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):791mW(Ta)
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
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TCAN1046A-Q1:具有待机模式的增强型汽车类双路 CAN 收发器
TPS51124:适用于低输出电压轨的 4.5V 至 28V 双路同步降压控制器
TPS84621:2.95V 至 14.5V 输入、6A 同步降压、集成式电源解决方案
SN74CBTD1G384:具有 5V 至 3.3V 电平转换的 5V、1:1 (SPST)、单通道、通用 FET 总线开关
LMV832:Dual, 5.5-V, 3.3-MHz, low noise (12-nV/√Hz) operational amplifier
MSP430FR2032:具有 8KB FRAM、1KB SRAM、10 位 ADC、UART/SPI/I2C、红外逻辑和计时器的 16MHz MCU
SN74ALS164A:8 位并行输出串行移位寄存器
PCM1865:具有通用前端的 110dB、4 通道软件控制型音频 ADC
SN75472:具有“与非”逻辑输入的 70V 双外设驱动器
BQ3285E:具有 242x8 NVSRAM 警报唤醒功能的 RTC IC
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