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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SOIC
- 技术参数：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
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TPS1101D 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TPS1101D
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：15V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.3A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.7V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11.25nC @ 10V
- Vgs（最大值）：+2V，-15V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：791mW（Ta）
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-SOIC
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ADS8598H：采用单电源并具有双极性输入的 18 位 500kSPS 8 通道同步采样 ADC
BQ2201：用于 1 个 SRAM 组的 SRAM 非易失性控制器 IC
TPS62356：具有 I2C 用于动态电压调节的 1A、3MHz 降压转换器
SN74LS163A：同步 4 位二进制计数器
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TL16C550D：具有自动流控制的异步通信元件
TPS53915：具有 PMBus 的 1.5V 至 18V、12A 同步 SWIFT 降压转换器
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