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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-SOIC
- 技术参数：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
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TPS1101DR 技术参数详情：
- 型号:TPS1101DR
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:15 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.25 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:+2V，-15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:791mW（Ta）
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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LM6172QML-SP：双路高速、低功耗、低失真电压反馈放大器
TIOS101：集成了浪涌保护功能的数字传感器输出驱动器
CD54HC4050：军用 6 通道、2V 至 6V 缓冲器
DRV8425：具有集成电流感应功能和 1/256 微步进的 35V、2A 双极步进电机驱动器
TPS51640A：具有 0V VBoot、适用于 IMVP-7 Vcore 的双通道 SVID、D-CAP+ 商业级降压控制器
TLV5625：8 位、2.5us 或 12us 双路 DAC、串行输入、可编程稳定时间
TLV62080：采用 2mm x 2mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装的 1.2A 高效降压转换器
TPS3430-Q1：具备可编程复位延迟功能的汽车类窗口看门狗计时器
BQ25601：具有电源路径和 OTG 的 I2C 单节 3A 降压电池充电器
LM5145：具有宽输入电压范围和占空比范围的 75V 同步降压控制器
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