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  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-SOIC
  • 技术参数:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
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TPS1101DR 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:TPS1101DR
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):15V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):2.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.7V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):11.25nC @ 10V
  • Vgs(最大值):+2V,-15V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):791mW(Ta)
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-SOIC
  • TPS1101DR优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
CD74AC08:4 通道、2 输入、1.5V 至 5.5V 与门
TLV8801:Single, 5.5-V, 6-kHz, ultra low quiescent current (450-nA), RRIO operational amplifier
TPS3613-01:适用于 RAM 保持模式的可调节电池备份监控器
UC3833:具有 0°C 至 70°C 工作温度范围的 450mA、36V 线性控制器
BQ2028:具有单线 HDQ 接口和温度传感器的 4Kb EEPROM
LM5112-Q1:具有 4V UVLO 和专用输入接地的汽车类 7A/3A 单通道栅极驱动器
TIBPAL16R4-20M:高性能 Impact PAL 电路
SN54HCT14:具有施密特触发输入的军用 6 通道 4.5V 至 5.5V 反相器
ADS1198:用于 ECG/EEG 测量的低噪声、8 通道、16 位模拟前端
SN65LVDT14:用于 LVDS 串行外设接口的多通道收发器
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