
- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
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TPS1120D 技术参数详情:
- 制造商产品型号:TPS1120D
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:2 个 P 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):15V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):1.17A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):180 毫欧 @ 1.5A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5.45nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
- 功率-最大值:840mW
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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SN74LS04:6 通道、4.75V 至 5.25V 双极反相器
DS90C363B:+3.3V 可编程 LVDS 发送器 18 位平板显示器 (FPD) 链路 - 65MHz
SN74ALS867A:同步 8 位加/减计数器
ONET1151P:11.3Gbps 限幅放大器
CD74HCT4040:高速 CMOS 逻辑 12 级二进制计数器
DS10CP154A:1.5Gbps 4x4 LVDS 交叉点开关
CD54HC30:军用单路 8 输入、2V 至 6V 与非门
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