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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
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TPS1120DR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TPS1120DR
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 个 P 沟道（双）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：15V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.17A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：5.45nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：840mW
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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