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高通AP拟整合Rx芯片 TI无线充电主导粉尘
(2025年9月16日更新)

德州仪器(TI)无线充电晶片的主导地位是应用处理器制造商(AP)威胁(Qualcomm)宣布加入无线充电联盟(WPC)与电力联盟(PMA)之后,该公司将无线充电接收器(Rx)整合到处理器中的企图心越来越明显。相关产品一旦推出,势必会对德州仪器在无线充电晶片中的市场份额产生很大影响。

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致伸技术平台高级经理邱宏伟表示,未来处理器行业将整合接收器,必然导致无线充电晶片市场份额重组。

致伸技术平台高级经理邱宏伟表示,从高通目前三个无线充电标准阵营,可以看到公司渴望掌握每个标准联盟的最新动态,观察不同标准规格的市场发展趋势,为未来选择哪些标准进行组件整合,通过布局进入无线充电市场,同时争夺德州仪器无线充电接收器市场。

据了解,目前由于德州仪器无线充电解决方案集成度高,市场份额近60%,其余40%由飞思卡尔组成IDT与日本晶片经销商分享,但如果高通公司在未来将接收器集成到应用处理器中,无线充电接收器的市场份额不可避免地重组,德州仪器的市场领先地位也将面临巨大的挑战。

事实上,无线充电接收器是由微控制器制成的(MCU)、电源控制算法和金属氧化物半导体效应电晶体(MOSFET)从技术角度来看,应用处理器行业将接收器集成系统的单晶片(SoC)这是一个可行的计划,但仍有一些技术挑战和风险。

富达通无线充电部经理詹其哲指出,无线充电晶片的峰值电压最高为20V,远远超出处理器的承受能力。因此,如果处理器行业没有采取良好的保护措施,当突然出现峰值时,很可能会烧毁昂贵的应用处理器,MOSFET目前很难将其整合到全数位主晶片中,因此仍存在技术瓶颈。

然而,丘宏伟认为,尽管无线充电电压峰值过高是应用处理器的潜在风险,但随着电源管理晶片的出现(PMIC)日益提高的效率将足以满足低功率接收器的电压保护要求MOSFET也可以外挂在主板上,相信相关技术问题很快就能解决。

丘宏伟分析,未来接收器集成到应用处理器将是必然趋势,而高通威胁行动装置处理器TI中国官网高市场份额的优势不仅可以大大降低接收器成本,还可以加速无线充电市场渗透率的扩大,这是一举两得的市场策略。

值得注意的是,不仅高通计划将无线充电接收器集成到应用处理器中,联合发展部门也在加快相关解决方案的研发,积极参与三个标准组织会议,希望首先布局组件集成策略,让低价智能手机和平板电脑用户也可以以最低的成本拥有无线充电功能。

TI公司被热门关注的产品型号
SN65C3221E:接口
TI 具有 +/-15kV IEC-ESD 保护的 3V 至 5.5V 单通道 1Mbps RS-232 线路驱动器/接收器
MSP430F4250:微控制器 (MCU) 和处理器
TI 具有 1 个 16 位 Σ-Δ ADC、12 位 DAC、56 段 LCD、16KB 闪存、256B RAM 的 8MHz 感应 MCU
SN74LVC2G241:逻辑和电压转换
TI 具有三态输出的 2 通道、1.65V 至 5.5V 缓冲器
DRV8436E:电机驱动器
TI 具有集成电流感应功能的 48V、1.5A 双极步进或双路有刷电机驱动器
MSP430FR60431:微控制器 (MCU) 和处理器
TI 具有 64KB FRAM、LCD、12 位高速 8MSPS Σ-Δ ADC 和集成传感器 AFE 的 16MHz MCU
TPS254900A-Q1:电源管理
TI 带 VBATT 短路保护功能的汽车类 USB 主机充电器
TCAN1463-Q1:接口
TI 具有 INH 和 WAKE 引脚的低功耗信号改进 CAN FD 收发器
DRV5053:传感器
TI 高电压(高达 38V)、线性霍尔效应传感器
AMC1411:隔离
TI 具有高 CMTI 的 2V 输入、精密电压检测增强型隔离式放大器
ADC12DJ5200-SP:数据转换器
TI 耐辐射加固保障 (RHA)、300krad、12 位、双通道 5.2GSPS 或单通道 10.4GSPS ADC
TPS25980:电源管理
TI 具有可调瞬态故障管理功能的 2.7V 至 24V、8A、3mΩ 智能电子保险丝
MSP430FR5989:微控制器 (MCU) 和处理器
TI 适用于流量计的旋转感应 MCU,具有扩展扫描接口、128KB FRAM、AES
LM5100A:电源管理
TI 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器
TRSF3222E:接口
TI 具有 +/-15kV IEC-ESD 保护的 3V 至 5.5V 双通道 1Mbps RS-232 线路驱动器/接收器
LM2903V:放大器
TI 双路差分比较器,电压增强型
CSD25483F4:电源管理
TI 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、245mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
TLV742P:电源管理
TI 200mA、低 IQ、低压降稳压器
SN75LVPE801:接口
TI 8.0Gbps SATA Express 转接驱动器
OPA202:放大器
TI 高容性驱动 (25nF)、精密 (200uV)、低噪声 (9nV/rtHz)、超 β 运算放大器
ISO35:隔离
TI 1Mbps、全双工、2.5kVrms 隔离式 RS-485 和 RS-422 收发器
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