The first members of TI’s new BiMOS general-purpose operational amplifier family are the TLC08x. The BiMOS family concept is simple: provide an upgrade path for BiFET users who are moving away from dual-supply to single-supply systems and demand higher ac and dc performance. With performance rated from 4.5 V to 16 V across commercial (0°C to 70°C) and an extended industrial temperature range (–40°C to 125°C), BiMOS suits a wide range of audio, automotive, industrial, and instrumentation applications. Familiar features like offset nulling pins, and new features like MSOP PowerPAD™ packages and shutdown modes, enable higher levels of performance in a variety of applications.

Developed in TI’s patented LBC3 BiCMOS process, the new BiMOS amplifiers combine a very high input impedance, low-noise CMOS front end with a high-drive bipolar output stage, thus providing the optimum performance features of both. AC performance improvements over the TL08x BiFET predecessors include a bandwidth of 10 MHz (an increase of 300%) and voltage noise of 8.5 nV/√Hz (an improvement of 60%). DC improvements include an ensured V_ICR that includes ground, a factor of 4 reduction in input offset voltage down to 1.5 mV (maximum) in the standard grade, and a power supply rejection improvement of greater than 40 dB to 130 dB. Added to this list of impressive features is the ability to drive ±50-mA loads comfortably from an ultrasmall-footprint MSOP PowerPAD package, which positions the TLC08x as the ideal high-performance general-purpose operational amplifier family.

For the most current package and ordering information, see the Package Option Addendum at the end of this data sheet, or see the TI web site at www.ti.com.

• Wide Bandwidth: 10 MHz
• High Output Drive:
  • IOH: 57 mA at VDD – 1.5 V
  • IOL: 55 mA at 0.5 V
• High Slew Rate:
  • SR+: 16 V/μs
  • SR–: 19 V/μs
• Wide Supply Range: 4.5 V to 16 V
• Supply Current: 1.9 mA/Channel
• Ultralow Power Shutdown Mode:
  • IDD: 125 μA/Channel
• Low Input Noise Voltage: 8.5 nV√Hz
• Input Offset Voltage: 60 μV
• Ultra-Small Packages:
  • 8- or 10-Pin MSOP (TLC080/1/2/3)

PowerPAD is a trademark of Texas Instruments. All other trademarks are the property of their respective owners.

• Number of channels (#)
• 2
• Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
• 16
• Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
• 4.5
• Rail-to-rail
• In to V-
• GBW (Typ) (MHz)
• 10
• Slew rate (Typ) (V/us)
• 16
• Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)
• 1.9
• Iq per channel (Typ) (mA)
• 1.8
• Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)
• 8.5
• Rating
• Catalog
• Operating temperature range (C)
• -40 to 125, 0 to 70
• Offset drift (Typ) (uV/C)
• 1.2
• Features
• —
• Input bias current (Max) (pA)
• 50
• CMRR (Typ) (dB)
• 110
• Output current (Typ) (mA)
• 100
• Architecture
• CMOS

TLC082的完整型号有：TLC082CD、TLC082CDGN、TLC082CDGNR、TLC082CDR、TLC082CP、TLC082ID、TLC082IDGN、TLC082IDGNR、TLC082IDR、TLC082IP，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

TLC082CD，工作温度：0 to 70，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：75个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLC082CD的批量USD价格：.916（1000+）

TLC082CDGN，工作温度：0 to 70，封装：HVSSOP (DGN)-8，包装数量MPQ：80个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLC082CDGN的批量USD价格：.916（1000+）

TLC082CDGNR，工作温度：0 to 70，封装：HVSSOP (DGN)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLC082CDGNR的批量USD价格：.763（1000+）

TLC082CDR，工作温度：0 to 70，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLC082CDR的批量USD价格：.763（1000+）

TLC082CP，工作温度：0 to 70，封装：PDIP (P)-8，包装数量MPQ：50个，MSL 等级/回流焊峰值温度：N/A for Pkg Type，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLC082CP的批量USD价格：.877（1000+）

TLC082ID，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：75个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLC082ID的批量USD价格：.961（1000+）

TLC082IDGN，工作温度：-40 to 125，封装：HVSSOP (DGN)-8，包装数量MPQ：80个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLC082IDGN的批量USD价格：.961（1000+）

TLC082IDGNR，工作温度：-40 to 125，封装：HVSSOP (DGN)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLC082IDGNR的批量USD价格：.809（1000+）

TLC082IDR，工作温度：-40 to 125，封装：SOIC (D)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLC082IDR的批量USD价格：.809（1000+）

TLC082IP，工作温度：-40 to 125，封装：PDIP (P)-8，包装数量MPQ：50个，MSL 等级/回流焊峰值温度：N/A for Pkg Type，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TLC082IP的批量USD价格：.923（1000+）

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块

借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试，该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器，或者将这些端子板直接连接至现有电路。

DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装，包括：

• D 和 U (SOIC-8)
• PW (TSSOP-8)
• DGK（MSOP-8、VSSOP-8）
• DBV（SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3）
• DCK（SC70-6 和 SC70-5）
• DRL (SOT563-6)

DUAL-DIYAMP-EVM — 双通道通用自制 (DIY) 放大器电路评估模块

DUAL-DIYAMP-EVM 是独特的评估模块 (EVM) 系列，可为工程师和 DIY 爱好者提供现实生活中的放大器电路，使您能够快速完成设计概念评估和仿真验证。它专为采用行业标准 SOIC-8 封装的双封装运算放大器而设计。它可实现各种电路配置，例如反相和同相放大器、Sallen Key 滤波器、多反馈滤波器、具有基准缓冲器的差动放大器、具有双反馈的 RISO、单端输入至差动输出、差动输入至差动输出、2 个运算放大器仪表放大器和并联运算放大器。

DUAL-DIYAMP-EVM 系列可实现快速、方便的原型设计，并且使用常用的 0805 或 0603 (...)

TLC08x PSpice Model

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助?PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在?PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)

TINA-TI — 基于 SPICE 的模拟仿真程序

TINA-TI 提供了 SPICE 所有的传统直流、瞬态和频域分析以及更多。TINA 具有广泛的后处理功能，允许您按照希望的方式设置结果的格式。虚拟仪器允许您选择输入波形、探针电路节点电压和波形。TINA 的原理图捕获非常直观 - 真正的“快速入门”。

TINA-TI 安装需要大约 500MB。直接安装，如果想卸载也很容易。我们相信您肯定会爱不释手。

TINA 是德州仪器 (TI) 专有的 DesignSoft 产品。该免费版本具有完整的功能，但不支持完整版 TINA 所提供的某些其他功能。

如需获取可用 TINA-TI 模型的完整列表，请参阅：SpiceRack - 完整列表

需要 HSpice (...)

ANALOG-ENGINEER-CALC — 模拟工程师计算器

模拟工程师计算器旨在加快模拟电路设计工程师经常使用的许多重复性计算。该基于 PC 的工具提供图形界面，其中显示各种常见计算的列表（从使用反馈电阻器设置运算放大器增益到为稳定模数转换器 (ADC) 驱动器缓冲器电路选择合适的电路设计元件）。除了可用作单独的工具之外，该计算器还能够很好地与模拟工程师口袋参考书中所述的概念配合使用。 lock = 需要出口许可（1分钟）

CIRCUIT060013 — Inverting amplifier with T-network feedback circuit

该设计将输入信号 VIN 反相并应用 1000V/V 或 60dB 的信号增益。具有 T 反馈网络的反相放大器可用于获得高增益，而无需 R4 具有很小的值或反馈电阻器具有很大的值。

CIRCUIT060015 — 可调节基准电压电路

该电路结合了一个反相和同相放大器，可使基准电压在正负输入电压范围内进行调节。可通过增加增益来提高最大负基准电压电平。

CIRCUIT060074 — 采用比较器的高侧电流感应电路

该高侧电流检测解决方案使用一个具有轨到轨输入共模范围的比较器，如果负载电流上升至超过 1A，则在比较器输出端 (COMP OUT) 产生过流警报 (OC-Alert) 信号。该实现中的 OC-Alert 信号低电平有效。因此，当超过 1A 阈值后，比较器输出变为低电平。实现了迟滞，使得当负载电流减小至 0.5 A（减少 50%）时，OC-Alert 将返回到逻辑高电平状态。该电路使用漏极开路输出比较器，从而对输出高逻辑电平进行电平转换，以控制数字逻辑输入引脚。对于需要驱动 MOSFET 开关栅极的应用，最好使用具有推挽输出的比较器。