TS3DDR3812 是一款专门针对 DDR3 应用而设计的 12 通道，1:2 多路复用器／多路解复用器开关。 该产品采用 3 至 3.6V 电源供电，提供低而平坦的导通状态电阻以及低 I/O 电容，从而可实现 1.675GHz 的典型带宽。

通道 A₀ 至 A₁₁ 分为两个 6 位组，可通过两组名为 SEL1 与 SEL2 的数字输入进行独立控制。 这些选择输入可控制每个 6 位 DDR3 信号源的开关位置，使它们能够准确发送至两个端点中的一个。 此外，本开关还可用于将单个端点与两个 6 位 DDR3 信号源中的一个连接起来。 对于 12 位 DDR3 信号源的开关，只需外部连接 SEL1 与 SEL2，便可通过一个单个 GPIO 输入控制所有 12 个通道。 一个 EN 输入可在不使用时使整个芯片处于高阻抗 (Hi-Z) 状态。

这些特性使 TS3DDR3812 成为存储器、模拟／数字视频、局域网 (LAN) 以及其它高速信号开关应用中的理想选择。

• 与 DDR3 SDRAM 标准 (JESD79-3D) 兼容
• 1.675GHz 的宽带宽
• 低传播延迟（典型值 tpd = 40ps）
• 低位到位偏斜（典型值 tsk(o) = 6ps）
• 低而平坦的导通电阻（典型值 rON = 8Ω）
• 低输入／输出电容（典型值 CON = 5.6pF）
• 低串扰（XTALK = -43dB，这是在 250MHz 时的典型值）
• 3V 至 3.6V 的 VCC工作范围
• 数据 I/O 端口上的轨至轨开关（0 至 VCC）
• 用于上部及下部 6 通道的分离开关控制逻辑
• 专用使能逻辑电路支持高阻抗 (Hi-Z) 模式
• I关闭保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
• 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD22 标准
  • 2000V 人体模型（A114B，II 类）
  • 1000V 充电器件模型 (C101)
• 42 引脚 RUA 封装（9mm × 3.5mm，0.5mm 焊球间距）

• DDR3 信号开关
• DIMM 模块
• 笔记本／台式机
• 服务器

• Protocols
• DDR3
• Configuration
• 2:1 SPDT
• Number of channels (#)
• 12
• Bandwidth (MHz)
• 1675
• Supply voltage (Max) (V)
• 3.6
• Supply voltage (Min) (V)
• 3
• Ron (Typ) (Ohms)
• 8
• Input/ouput voltage (Min) (V)
• 0
• Input/ouput voltage (Max) (V)
• 3.6
• Supply current (Typ) (uA)
• 300
• ESD HBM (Typ) (kV)
• 2
• Operating temperature range (C)
• -40 to 85
• Crosstalk (dB)
• -71
• ESD CDM (kV)
• 1
• ICC (Typ) (uA)
• 300
• Input/output continuous current (Max) (mA)
• 128
• COFF (Typ) (pF)
• 5.6
• CON (Typ) (pF)
• 2
• Off isolation (Typ) (dB)
• -42
• OFF-state leakage current (Max) (μA)
• 1
• Propagation delay (ns)
• 0.04
• Ron (Max) (Ohms)
• 12
• Ron channel match (Max) (Ohms)
• 1
• RON flatness (Typ) (Ohms)
• 1.5
• Turn off time (disable) (Max) (ns)
• 5
• Turn on time (enable) (Max) (ns)
• 7
• VIH (Min) (V)
• 2
• VIL (Max) (V)
• 0.8

TS3DDR3812的完整型号有：TS3DDR3812RUAR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

TS3DDR3812RUAR，工作温度：-40 to 85，封装：WQFN (RUA)-42，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网TS3DDR3812RUAR的批量USD价格：1.923（1000+）

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