UCC27211A-Q1 器件驱动器基于广受欢迎的 UCC27201 MOSFET 驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。

峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。

UCC27211A-Q1 的开关节点（HS 引脚）最高可处理 –18V 电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27211A-Q1 已经增加了滞后特性，从而使得用于模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器的接口具有增强的抗扰度。

低端和高端栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至 2ns 的匹配。

由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。

UCC27211A-Q1 器件采用 8 引脚 SO-PowerPAD 封装。

• 适用于汽车电子 应用
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
  • 器件温度等级：–40°C 至 +140°C 的工作环境温度范围
  • 器件人体放电模式 (HBM) 分类等级 2
  • 器件组件充电模式 (CDM) 分类等级 C6
• 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
• 最大引导电压 120V 直流
• 4A 吸收，4A 源输出电流
• 0.9Ω 上拉和下拉电阻
• 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压，并且与电源电压范围无关
• TTL 兼容输入
• 8V 至 17V VDD 运行范围（绝对最大值 20V）
• 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间（采用 1000pF 负载时）
• 快速传播延迟时间（典型值 20ns）
• 4ns 延迟匹配
• 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
• 采用行业标准 SO-PowerPAD SOIC-8 封装
• －40℃ 至 +140°C 的额定温度范围

应用

• 针对电信，数据通信和商用的电源
• 半桥和全桥转换器
• 推挽转换器
• 高电压同步降压型转换器
• 两开关正激式转换器
• 有源箝位正激式转换器
• D 类音频放大器

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• Bus voltage (Max) (V)
• 110
• Power switch
• MOSFET
• Input VCC (Min) (V)
• 8
• Input VCC (Max) (V)
• 17
• Peak output current (A)
• 4
• Rise time (ns)
• 8
• Operating temperature range (C)
• -40 to 140
• Undervoltage lockout (Typ)
• 8
• Rating
• Automotive
• Number of channels (#)
• 2
• Fall time (ns)
• 7
• Prop delay (ns)
• 20
• Iq (uA)
• 1
• Input threshold
• TTL
• Channel input logic
• TTL
• Negative voltage handling at HS pin (V)
• -12
• Features
• Negative Voltage Handling
• Driver configuration
• Dual, Non-Inverting, TTL Compatible

UCC27211A-Q1的完整型号有：UCC27211AQDDARQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

UCC27211AQDDARQ1，工作温度：-40 to 140，封装：SO PowerPAD (DDA)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAUAG，TI官网UCC27211AQDDARQ1的批量USD价格：1.083（1000+）

UCC27211 PSpice Transient Model

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