该 20V、990mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。超低电容提高了开关速度。在数据线应用中使用时，低电容可最大限度地降低噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

• 超低 CiSS 和 COSS
• 超低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
  • 0.73mm × 0.64mm
• 超薄型封装
  • 最大厚度为 0.36mm
• 集成型 ESD 保护二极管
  • 额定值 > 4kV HBM
  • 额定值 > 2kV CDM
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS

• VDS (V)
• 20
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 1460
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 1.6
• QG typ (nC)
• 0.216
• QGD typ (nC)
• 0.027
• QGS typ (nC)
• 0.077
• Package (mm)
• LGA 0.7x0.6mm
• VGS (V)
• 10
• VGSTH typ (V)
• 1.1
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 0.5
• ID - package limited (A)
• 0.5
• Logic level
• Yes

CSD15380F3的完整型号有：CSD15380F3、CSD15380F3T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD15380F3，工作温度：-55 to 150，封装： (YJM)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD15380F3的批量USD价格：.04（1000+）

CSD15380F3T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJM)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD15380F3T的批量USD价格：.24（1000+）

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 沟道评估模块

这款 FemtoFET N 沟道 EVM 包含七个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。七个 FemtoFET 支持 12V 至 40V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

TIDM-02010 — 具有数字交错式 PFC、适用于 HVAC 的双电机控制参考设计

TIDM-02010 参考设计是一款适用于 HVAC 应用变频空调室外单元控制器的 1.5kW 双电机驱动和 PFC 控制参考设计，展示了一种对压缩机和风扇电机驱动器以及数字交错式升压 PFC 实现无传感器三相 PMSM 矢量控制的方法，可通过一个 C2000 微控制器满足新的效率标准。此参考设计提供的硬件和软件已经过测试，而且可随时使用，有助于加快开发，从而缩短产品上市时间。本参考设计包括硬件设计文件和软件代码。

TIDA-01081 — 适用于机器视觉的 LED 照明控制参考设计

此 LED 照明控制参考设计展示了如何通过一种独特方法驱动和控制包含多个大功率发光二极管 (LED) 的灯串。此参考设计适用于工业机器视觉系统，也适用于其他工业或汽车照明应用。此设计允许用户对 LED 电流和时序进行编程，从而实现 LED 安全超载以提高亮度。此设计可以自主运行，但也可以通过隔离式接口被触发或产生触发。内部电路块支持宽输入电压范围、可编程输入电流和输入功率控制，并可防止反极性、过压和过热。