该 30V、22mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

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• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
  • 1.53mm x 0.77mm
• 薄型封装
  • 厚度为 0.36mm
• 集成型 ESD 保护二极管
  • 额定值 > 4kV HBM
  • 额定值 > 2kV CDM
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS

• VDS (V)
• 30
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 33
• Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
• 27
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 34
• QG typ (nC)
• 1.9
• QGD typ (nC)
• 0.39
• QGS typ (nC)
• 0.53
• Package (mm)
• LGA 1.5x0.8mm
• VGS (V)
• 20
• VGSTH typ (V)
• 1.3
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 5.9
• ID - package limited (A)
• 5.9
• Logic level
• Yes

CSD17585F5的完整型号有：CSD17585F5、CSD17585F5T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD17585F5，工作温度：-55 to 150，封装： (YJK)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD17585F5的批量USD价格：.08（1000+）

CSD17585F5T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJK)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD17585F5T的批量USD价格：.28（1000+）

CSD1FNCHEVM-889 FemtoFET N 沟道评估模块

这款 FemtoFET N 沟道 EVM 包含七个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。七个 FemtoFET 支持 12V 至 40V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。