CSD17585F5_TI 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD17585F5的基本参数

制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
功能描述：采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD17585F5的产品详情：

该 30V、22mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

。

CSD17585F5的优势和特性：

低导通电阻
超低 Qg 和 Qgd
超小尺寸
- 1.53mm x 0.77mm
薄型封装
- 厚度为 0.36mm
集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
无铅且无卤素
符合 RoHS

CSD17585F5的参数（英文）：

VDS (V)
30
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
33
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
27
IDM - pulsed drain current (Max) (A)
34
QG typ (nC)
1.9
QGD typ (nC)
0.39
QGS typ (nC)
0.53
Package (mm)
LGA 1.5x0.8mm
VGS (V)
20
VGSTH typ (V)
1.3
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
5.9
ID - package limited (A)
5.9
Logic level
Yes

CSD17585F5具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD17585F5的完整型号有：CSD17585F5、CSD17585F5T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD17585F5，工作温度：-55 to 150，封装： (YJK)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD17585F5的批量USD价格：.08（1000+）

CSD17585F5T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJK)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD17585F5T的批量USD价格：.28（1000+）

CSD17585F5的评估套件：

CSD1FNCHEVM-889 FemtoFET N 沟道评估模块

这款 FemtoFET N 沟道 EVM 包含七个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。七个 FemtoFET 支持 12V 至 40V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

CSD17585F5的电路图解：

CSD17585F5的评估套件：